真空镀膜在真空条件下成膜有很多优点:可减少蒸发材料的原子、分子在飞向基板过程中于分子的碰撞,减少气体中的活性分子和蒸发源材料间的化学反应(如氧化等),以及减少成膜过程中气体分子进入薄膜中成为杂质的量,从而提供膜层的致密度、纯度、沉积速率和与基板的附着力。通常真空蒸镀要求成膜室内压力等于或低于10-2Pa,对于蒸发源与基板距离较远和薄膜质量要求很高的场合,则要求压力更低。
真空镀膜就是置待镀材料和被镀基板于真空室内,采用一定方法加热待镀材料,使之蒸发或升华,并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。
真空镀膜中电阻蒸发镀:电阻蒸发源用于蒸发低熔点材料,如金、银、硫化锌、氟化镁、三氧化二铬等。电阻蒸发源一般采用钨、钼、钽制作。电子束蒸发镀:利用电子束加热使膜材汽化蒸发后,凝结在基片表面成膜是真空蒸镀技术中一种重要的加热方法。这种装置的种类很多。随着薄膜技术的广泛应用,不但对膜的种类要求繁多,而且对膜的质量要求更加严格。高频感应加热蒸发镀:利用感应加热原理把金属加热到蒸发温度。将装有膜层材料的坩埚放在螺旋线圈的中央(非接触),在线圈中通以高频电流,可以使金属膜层材料产生电流将自身加热升温,直至蒸发。电弧加热蒸发镀:与电子束加热方式相类似的一种加热方式是电弧放电加热法。它也具有可以避免电阻加热材料或坩埚材料的污染,加热温度较高的特点,特别适用 于熔点高,同时具有一定导电性的难熔金属、石墨等的蒸发。
请问谁知道:MEMS光刻工艺的步骤?
MEMS光刻的优点是它可以精i确地控制形成图形的形状、大小,此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。不过,其主要缺点在于它必须在平面上使用,在不平的表面上它的效果要差一些。此外它还要求衬底具有极高的.. 全文
什么叫光刻定制?大家推荐一下
光刻定制的加工特点:1、各向异性刻蚀,即只有垂直刻蚀,没有横向钻蚀。这样才能保证精i确地在被刻蚀的薄膜上复i制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形。2、良好的刻蚀选择性,即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一.. 全文
在线的各位知道吗,硅片光刻的优点与缺点?
硅片光刻工艺步骤:一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准 曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程:一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、.. 全文
谁能帮助我!有了解PECVD真空镀膜费用需要多少的吗?
一分钱一分货,大家在选购PECVD真空镀膜时,不能只考虑到价格低,还是综合考虑PECVD真空镀膜的功能、售后服务等,尽可能多咨询多对比,在能力范围内选择适合自己发展 全文
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