哪位知道接触式光刻加工特点是什么？拜托了帮个忙-如意宝知识分享

如意信息网 - 商盟推荐

当前位置：商盟推荐首页 > 知识分享 > 哪位知道接触式光刻加工特点是什么？拜托了帮个忙

哪位知道接触式光刻加工特点是什么？拜托了帮个忙

接触式光刻的加工特点：1、各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精i确地在被刻蚀的薄膜上复i制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形。2、良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料。3、加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。
接触式光刻工艺步骤：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
接触式光刻技术在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。光复印工艺是经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精i确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。刻蚀工艺是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。

: 主营业务：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻

更多内容

光刻制作是干什么的？有懂行的吗？

光刻制作工艺步骤：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、.. 全文
各位大佬谁清楚,紫外光刻有什么优点和缺点？

紫外光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。全文
在线的各位知道吗，什么叫真空镀膜？帮忙解答一下

真空镀膜主要原理分成蒸发和溅射两种。主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空电阻加热蒸发，电子戕加热蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积，离子束溅射等很多种。.. 全文
帮忙一下，紫外光刻技术？

我们所知的紫外光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。全文

更多>

精选分享

本页面所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责如意信息网行业资讯对此不承担直接责任及连带责任。

本网部分内容转载自其他媒体，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性。不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。