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光刻技术有几种镀膜方法？还请不吝赐

光刻技术的优点是它可以精i确地控制形成图形的形状、大小，此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。不过，其主要缺点在于它必须在平面上使用，在不平的表面上它的效果要差一些。此外它还要求衬底具有极高的清洁条件。
光刻技术技术在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。光复印工艺是经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精i确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。刻蚀工艺是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。
光刻技术工艺步骤：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

: 主营业务：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻

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曝光光刻工艺步骤：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、.. 全文
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