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光刻制作的加工特点：1、各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精i确地在被刻蚀的薄膜上复i制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形。2、良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料。3、加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。
光刻制作工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻制作的优点是它可以精i确地控制形成图形的形状、大小，此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。不过，其主要缺点在于它必须在平面上使用，在不平的表面上它的效果要差一些。此外它还要求衬底具有极高的清洁条件。
主营业务：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻
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