图形光刻技术的优点是它可以精i确地控制形成图形的形状、大小,此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。不过,其主要缺点在于它必须在平面上使用,在不平的表面上它的效果要差一些。此外它还要求衬底具有极高的清洁条件。
图形光刻技术工艺步骤:一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准 曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程:一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准 曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
图形光刻技术技术在广义上,它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。光复印工艺是经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精i确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。刻蚀工艺是利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。
氮化硅材料刻蚀加工费用是怎样的?教期待大神解答
感谢邀请回答,对于氮化硅材料刻蚀加工费用这个问题,我的回答是,这个我建议你可以去网上自己挑选几家对比一下,然后各自去找他们的客服的咨询一下,毕竟现在的氮化硅材料刻蚀加工价格又不是统一的,他们会因为地区.. 全文
在线的各位知道吗,晶圆光刻技术工艺步骤?哪位大神能告诉我?
晶圆光刻技术工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分.. 全文
各位大佬谁清楚,紫外光刻有什么优点和缺点?
紫外光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 全文
哪位大仙,急急急!接触式光刻的适用范围? 知道的请回答
我们所知的接触式光刻工艺的流程为:涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 全文
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