晶圆光刻优点与缺点有什么？大侠们，求解-如意宝知识分享

我们所知的晶圆光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
晶圆光刻光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
晶圆光刻的加工特点：1、各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精i确地在被刻蚀的薄膜上复i制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形。2、良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料。3、加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。

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