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大神们！麻烦回答一下半导体XRD测试的分析方法？求解答

  • 半导体XRD测试典型应用可以分为如图1所示的六大类：（1）晶体结构的确定和修正；（2）点阵常数的测定；（3）物相定量分析；（4）获得键长键角信息；（5）应力应变分析；（6）其他。

  • 半导体XRD测试原理,是Bragg方程,即nλ=2*d*sinθ,其中λ为入射线波长,d为晶面间距,θ为衍射角.换言之,XRD对于晶体结构的测试才是有效的.因为晶体都会存在其特有的结晶学特征,也就是空间点阵,14种Bravais格子代表了其晶格类型,晶面参数又限定了其结点间的相对数量关系.于是,参考Bragg方程,让X射线通过晶体,只要满足Bragg衍射条件,便能提供晶体内原子排布的信息.所以,不管是采用德拜照相法、衍射仪法等,都会在θ角观测到衍射.当然,也可以说XRD的基础是Laue衍射条件,但其实它和Bragg衍射条件本质是一致的,只是表达不同.

  • 半导体XRD测试可以从以下步骤简单分析： 1、定性分析（XRD的主要功能），通过八强峰匹配标准pdf卡片，得知样品是由哪些物质构成的。 2、通过看峰宽等来分析结晶度，峰越尖锐，结晶度越好。 3、看信噪比，信噪比越高，说明这张XRD图拍得越好，越精i确。 当然，还有许多信息，包括物质晶系、晶胞参数、各物质定量分析、等，但是那个不是简单分析了。

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