接触式光刻工艺要求？拜托了帮个忙-如意宝知识分享

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接触式光刻工艺要求？拜托了帮个忙

接触式光刻工艺步骤：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
接触式光刻是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。
接触式光刻适用范围： 1、各种金属零件加工； 2、钣金、箱体、金属结构； 3、钛合金、高温合金、非金属等机械加工； 4、风洞燃烧室设计制造； 5、非标设备设计制造。

: 主营业务：深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻

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