问一下：芯片光刻技术工艺步骤？-如意宝知识分享

芯片光刻技术工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。
芯片光刻技术技术在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。光复印工艺是经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精i确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。刻蚀工艺是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。
芯片光刻技术工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。

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