半导体光刻工艺步骤？教期待大神解答-如意宝知识分享

半导体光刻的加工特点：1、各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精i确地在被刻蚀的薄膜上复i制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形。2、良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料。3、加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。
半导体光刻工艺步骤：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。工艺过程：一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
“半导体光刻适用范围： 1、各种金属零件加工； 2、钣金、箱体、金属结构； 3、钛合金、高温合金、非金属等机械加工； 4、风洞燃烧室设计制造； 5、非标设备设计制造。“

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