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朋友们，半导体XRD测试原理是什么？教期待大神解答

  • “半导体XRD测试的分析方法和步骤：1、在衍射仪获得的XRD图谱上，如果样品是较好的“晶态“物质，图谱的特征是有若干或许多个一般是彼此独立的很窄的“尖峰”。 2、如果这些“峰”明显地变宽，则可以判定样品中的晶体的颗粒尺寸将小于300nm，可以称之为“微晶。 3、Scherrer (1918)揭示了衍射峰的增宽是对应晶面方向上的原子厚度(层数)不足以在偏离Bragg条件下相干减弱(destructivelyinterference)衍射峰。 当衍射峰宽度增加到接近其高度时(或高度下降到接近其宽度时), 可认为样品是非晶。 4、同一物质的话，峰窄说明晶粒比较大，和结晶度无关。同一台仪器测试且测试条件相同的情况下，峰高的比较多才能说明结晶情况较好。

  • 半导体XRD测试原理，是Bragg方程，即nλ=2*d*sinθ，其中λ为入射线波长，d为晶面间距，θ为衍射角。换言之，XRD对于晶体结构的测试才是有效的。因为晶体都会存在其特有的结晶学特征，也就是空间点阵，14种Bravais格子代表了其晶格类型，晶面参数又限定了其节点间的相对数量关系。

  • 半导体XRD测试典型应用可以分为如图1所示的六大类：（1）晶体结构的确定和修正；（2）点阵常数的测定；（3）物相定量分析；（4）获得键长键角信息；（5）应力应变分析；（6）其他。

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