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问一下:MUR560D-ASEMI有说明书吗?
  • -Ly MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。MUR560D-ASEMI

  • -Lr 场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。MUR560D-ASEMI

  • -Ll MOSFET(场效应管)的主要参数:1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。MUR560D-ASEMI

主营业务:整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

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