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各位大佬谁清楚,20N20-ASEMI是常规型号吗？

  • -Lx 在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须认定一个是drain另一个是source20N20-ASEMI

  • -Lx ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID20N20-ASEMI

  • -L MOSFET（场效应管）的主要参数: 4. 栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。20N20-ASEMI

主营业务：整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

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