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朋友们,MUR860D-ASEMI是常规物料?
  • -Lz MOSFET(场效应管)的主要参数:2. 直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示 MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。MUR860D-ASEMI

  • -Ly MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。MUR860D-ASEMI

  • -Lw MOSFET(场效应管)的主要参数: 3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下 ,主要看型号和参数可以了解MUR860D-ASEMI

主营业务:整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

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