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帮忙一下,20N20-ASEMI该怎么选型?
  • -La 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。20N20-ASEMI

  • -Ly MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。20N20-ASEMI

  • -Lx ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID20N20-ASEMI

主营业务:整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

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