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反应烧结碳化硅是一种什么工艺？

  • 反映烧结碳化硅是POpper于20世纪50年代发明的，其基本原理是：具有反应活性的液硅或硅合金，在毛细管力的作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯，并与其中的碳反应生产碳化硅，新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒，浸渗剂填充素坯中的剩余气孔，完成致密化的过程。

  • SiC是一种共价键很强的材料，烧结时的扩散速率相当低，同时其颗粒表面往往覆盖一层相当薄的氧化层，起扩散势垒的作用，没有烧结添加剂，纯SiC是很难烧结致密的，即使用热压工艺也必须选择合适的添加剂，在相当高的温度下（1950~2200℃）才能制得接近理论密度的适合工程用的材料，而且形状和尺寸收到限制，气相浸渗或沉积虽然可得到优良的SiC复合材料，但只限于制备那些对密度要求不高或薄层材料，而且漫长的沉积时间，使成本大大提高。

  • 碳化硅陶瓷具有高温强度大、抗yang化性强、耐磨损好、热稳定性好、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性，因此，已被广泛应用于各种领域，例如：SiC陶瓷在石油化学工业中被用作各种耐腐蚀用容器及管道，机械工业中被成功地用作各种轴承、切削刀具和机构密封部件；在宇航和汽车工业中也被认为是制造燃气轮机、火箭喷嘴和发动机部件zui有希望的候选材料

主营业务：耐磨材料、板材、橡胶异形制品、棒材、管材、陶瓷制品等

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