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A29T -ASEMI是否有可替代型号? 感谢回答
  • -TH MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关 电路。

  • -TH MOSFET(场效应管)的主要参数: 3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

  • -TH MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。

主营业务:整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

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