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A29T -ASEMI规格参数资料哪里查看？

  • -TH 在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须认定一个是drain另一个是source

  • -TH mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

  • -TH MOSFET（场效应管）的主要参数：2. 直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示 MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

主营业务：整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

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