-TH 场效应管通过投场效应管通过投影一个个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。
-TH MOSFET(场效应管)的主要参数:1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
-TH 在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须认定一个是drain另一个是source
SS510-ASEMIPDF中文资料哪里查看?
-TH 这是一款肖特基二极管,贴片封装,小一点的有SMA,如SS54,稍稍大点体积就有TO-277的,像10U45 全文
有谁知道:ASEMI品牌贴片桥堆DB107S参数是?
dd回复 从芯片上看,贴片的规格一般为小薄型的,因此对引线粗细、芯片的规格都有相应的限制。 全文
SFF1604-ASEMI反向恢复时间是?
Lr-从命名的方式可以了解封装和参数,这是肯定的,只不过有些厂家并不规范,具体可参考ASEMI 全文
问一下:7N60-ASEMI有中文资料吗?
-Lr 场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。7N60-ASEMI 全文
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