陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式!按照介质不同可分为类I瓷介电容和II类瓷介I电容，通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等!

由于C0G、X8R、X9R的介质的介电常数是依次减少的，所以，同样的尺寸和耐压下，能够做出来的容量也是依次减少的。 有的没经验的工程师，以为想要什么容量都有，选型时就会犯错误，选了不存在的规格。比如想用0603/C0G/25V/3300pF的电容，但是0603 /C0G/25V的陶瓷贴片电容一般只做到1000pF.其实只要仔细看了厂家的选型手册，就不会犯这样的错误。

频低损耗型电容器：专为移动电话、通讯模块、移动通讯基地局等高频电路开发的产品。通过在内部电极使用电阻率较小的Cu实现高频低损耗。微型片状型电容器：专为高速无线通讯电路或光通讯设备中的IC等封装产品开发的产品。由于在表面电极中采用了Au，因此高频特性良好且粘合性极佳。 低ESL值电容器：为减小ESL值，并通过CPU等高频电路实现高速充放电而开发的商品。通过缩短电流路线或配置电极抵消电磁场等方式实现低ESL。