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低频陶瓷电容的使用温度要求是什么？

Y5V表示为：一位Y为低工作温度-30℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，三位字母V为随温度变化的容值偏差正负百分之二十二，负百分之八十二正负百分之十五。Z5U表示为：一位Z为低工作温度+10℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差正百分之二十二，负百分之五十六。
X7R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字7位高工作温度+125℃，三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五。X5R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五。
陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为为低频陶瓷电容器，指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

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